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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，Fuji Electric ### IGBT 分立件和模块，Fuji Electric 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。40691+￥953.537010+￥920.079650+￥915.8974100+￥911.7152150+￥905.0238250+￥899.1687500+￥893.31361000+￥886.6222 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，Fuji Electric ### IGBT 分立件和模块，Fuji Electric 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。35561+￥1134.687410+￥1124.372125+￥1119.214450+￥1114.0567100+￥1108.8991150+￥1103.7414250+￥1098.5837500+￥1093.4260 -
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品类: IGBT晶体管描述: FUJI ELECTRIC 2MBI200S-120-50 IGBT Array & Module Transistor, Dual Pack, N Channel, 200A, 2.6V, 1.5kW, 1.2kV, Module18171+￥1075.398510+￥1037.665250+￥1032.9485100+￥1028.2319150+￥1020.6852250+￥1014.0819500+￥1007.47861000+￥999.9319 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，Fuji Electric IGBT 分立件和模块，Fuji Electric 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。80361+￥1037.689610+￥1001.279450+￥996.7281100+￥992.1769150+￥984.8948250+￥978.5231500+￥972.15131000+￥964.8692 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块，6 包，Fuji Electric V - 系列，第 6 代现场挡块 U/U4 系列，第 5 代现场挡块 S - 系列，第 4 代 NPT 注 模块内每晶体的最大集电极电流 (Ic) 值是额定的。 IGBT 分立件和模块，Fuji Electric 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。10751+￥1103.208710+￥1093.179525+￥1088.164950+￥1083.1504100+￥1078.1358150+￥1073.1212250+￥1068.1066500+￥1063.0920 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 600V 75A 21Pin P61043661+￥142.597710+￥138.877850+￥136.0258100+￥135.0338200+￥134.2898500+￥133.29791000+￥132.67792000+￥132.0579 -
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品类: IGBT晶体管描述: FUJI ELECTRIC 6MBI75VA-120-50 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 75 A, 1.85 V, 385 W, 1.2 kV, Module45691+￥977.128210+￥942.843050+￥938.5574100+￥934.2717150+￥927.4147250+￥921.4148500+￥915.41481000+￥908.5578 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，Fuji Electric ### IGBT 分立件和模块，Fuji Electric 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。80951+￥881.999810+￥851.052450+￥847.1840100+￥843.3156150+￥837.1261250+￥831.7103500+￥826.29451000+￥820.1050 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT-IPM R series 600V / 75A 7in one-package49441+￥197.443510+￥192.292850+￥188.3439100+￥186.9704200+￥185.9403500+￥184.56681000+￥183.70832000+￥182.8499 -
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品类: IGBT晶体管描述: IPM（智能电源模块）IGBT，V 系列，Fuji Electric Fuji Electric V 系列智能电源模块 (IPM) 均配有驱动器、控制和保护 IGBT 电路。 它们易于在电源控制应用中实施，用于交流伺服电动机、空调设备和电梯。 内置保护功能优化和改进 IPM IGBT 的使用寿命，因此可保护高系统可靠性。 IPMS 随附过电流、短路、控制电源压降和过热保护，并且包括输出警报信号。 6MBP... 不带制动斩波器 7MBP... 带制动斩波器 ### IGBT 分立件和模块，Fuji Electric 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。26781+￥746.843610+￥720.638650+￥717.3630100+￥714.0873150+￥708.8463250+￥704.2605500+￥699.67461000+￥694.4336 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT; IGBT+FWD; Molded; TO-220AB Case; 20A Collector; 75W (Max.); 600V; +/-20V47271+￥44.038310+￥41.5116100+￥39.6345250+￥39.3457500+￥39.05701000+￥38.73212500+￥38.44335000+￥38.2628 -
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品类: IGBT晶体管描述: FUJI ELECTRIC 7MBR25VA-120-50 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 25 A, 1.85 V, 170 W, 1.2 kV, Module27651+￥566.249710+￥551.477950+￥540.1529100+￥536.2138200+￥533.2595500+￥529.32031000+￥526.85842000+￥524.3964 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块，6 包，Fuji Electric V - 系列，第 6 代现场挡块 U/U4 系列，第 5 代现场挡块 S - 系列，第 4 代 NPT 注 模块内每晶体的最大集电极电流 (Ic) 值是额定的。 IGBT 分立件和模块，Fuji Electric 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。96311+￥636.232910+￥613.908950+￥611.1184100+￥608.3279150+￥603.8631250+￥599.9564500+￥596.04971000+￥591.5849 -
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品类: IGBT晶体管描述: FUJI ELECTRIC FGW50N60HD 单晶体管, IGBT, 95 A, 1.5 V, 360 W, 600 V, TO-247, 3 引脚77015+￥12.600950+￥12.0624200+￥11.7608500+￥11.68551000+￥11.61012500+￥11.52395000+￥11.47017500+￥11.4162 -
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品类: IGBT晶体管描述: FUJI ELECTRIC 2MBI100S-120-50 晶体管, IGBT阵列&模块, 2件, N沟道, 150 A, 2.6 V, 780 W, 1.2 kV, Module99861+￥594.901010+￥574.027350+￥571.4181100+￥568.8089150+￥564.6341250+￥560.9812500+￥557.32831000+￥553.1536 -
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt-ipm R Series 600V / 150A 7In One-package62081+￥262.348410+￥255.504550+￥250.2575100+￥248.4325200+￥247.0637500+￥245.23871000+￥244.09802000+￥242.9574 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，Fuji Electric IGBT 分立件和模块，Fuji Electric 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。96711+￥2823.789110+￥2798.118325+￥2785.282950+￥2772.4475100+￥2759.6121150+￥2746.7767250+￥2733.9413500+￥2721.1059 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，Fuji Electric IGBT 分立件和模块，Fuji Electric 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。35561+￥353.859610+￥344.628550+￥337.5513100+￥335.0897200+￥333.2434500+￥330.78181000+￥329.24332000+￥327.7048 -
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品类: IGBT晶体管描述: FUJI ELECTRIC FGW75N60HD 单晶体管, IGBT, 100 A, 1.5 V, 500 W, 600 V, TO-247, 3 引脚90165+￥18.467350+￥17.6781200+￥17.2361500+￥17.12561000+￥17.01522500+￥16.88895000+￥16.81007500+￥16.7310 -
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品类: IGBT晶体管描述: FUJI ELECTRIC FGW50N60VD 单晶体管, IGBT, 85 A, 1.6 V, 360 W, 600 V, TO-247, 3 引脚18791+￥88.510910+￥84.6626100+￥83.9699250+￥83.4311500+￥82.58451000+￥82.19972500+￥81.66095000+￥81.1991 -
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品类: IGBT晶体管描述: FUJI ELECTRIC FGW30N120HD 单晶体管, IGBT, 53 A, 1.8 V, 260 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚20551+￥66.765610+￥63.8627100+￥63.3402250+￥62.9338500+￥62.29521000+￥62.00492500+￥61.59855000+￥61.2501 -
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品类: IGBT晶体管描述: FUJI ELECTRIC 6MBI100S-120-50 IGBT Array & Module Transistor, 6 Pack, N Channel, 150A, 2.6V, 700W, 1.2kV, Module1387 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块，6 包，Fuji Electric V - 系列，第 6 代现场挡块 U/U4 系列，第 5 代现场挡块 S - 系列，第 4 代 NPT 注 模块内每晶体的最大集电极电流 (Ic) 值是额定的。 IGBT 分立件和模块，Fuji Electric 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。46961+￥985.858310+￥951.266850+￥946.9429100+￥942.6189150+￥935.7006250+￥929.6471500+￥923.59361000+￥916.6753 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，Fuji Electric IGBT 分立件和模块，Fuji Electric 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。71491+￥607.485510+￥586.170250+￥583.5058100+￥580.8414150+￥576.5783250+￥572.8482500+￥569.11801000+￥564.8549 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，Fuji Electric IGBT 分立件和模块，Fuji Electric 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。99691+￥572.913810+￥552.811650+￥550.2988100+￥547.7860150+￥543.7656250+￥540.2477500+￥536.72981000+￥532.7094
